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内存颗粒和模组编号知识
2015-10-16 14:14:55   来源:   评论:0 点击:

内存颗粒和模组编号知识 在内存的颗粒和模组的编号中浓缩着内存的主要技术信息,但是,除了JEDEC对模组的标注方法有一个原则规定外,颗粒和模组的编号规则都是由各个生产厂自行设定的,编号方法很不一致
         在内存的颗粒和模组的编号中浓缩着内存的主要技术信息,但是,除了JEDEC对模组的标注方法有一个原则规定外,颗粒和模组的编号规则都是由各个生产厂自行设定的,编号方法很不一致。因此,网上有关编号的问题的讨论也很多,我认为,有许多理解是不准确的。为此,我花了一些时间到境外生产厂的英文官方网站去寻求答案。力求收集得全面一些。还真的有不少斩获。现将它们整理出来,供网友们参考。当然,所涉及的内存种类主要是个人电脑用户接触到的UDIMM (Unbuffered non-ECC DIMM也称UBDIMM)内存和SO-DIMM(Small Outline DIMM )内存。服务器内存和其他专用内存都没有涉及。

为了便于读者朋友查询,我编了一个内存颗粒编号速查表和内存模组编号速查表(见问题3问题4)。当您要查询一个未知内存编号的含义时,可以首先跟这个速查表比对,了解了生产这种内存的厂商后,再根据本目录查询具体含义。

目录

一.关于内存的编号

1.目前的主要内存厂商有哪些?

2.内存是怎样编号的?

3.请给出常用内存颗粒编号速查表!

4.请给出常用内存模组编号速查表!

二.关于内存的编号方法

5.颗粒编号中的术语有哪些?说明其含义。

6.当表示颗粒结构时用“128M×8”是什么意思?

7.怎样根据颗粒编号求出BANK深度?

8.怎样根据颗粒编号求出颗粒深度?

9.如何根据颗粒的编号计算模组容量?

10.怎样从内存编号中知道内存的速度?

11.内存模组编号的术语有那些?说明其含义。

12.当表示模组结构时用256M×64是什么意思?

13.什么是RANK?

14.如何根据模组的编号计算模组的容量?

15.如何根据模组和颗粒的编号推算模组的颗粒数?

16.JEDEC对内存编号内容是如何规定的?

17.请解释JEDEC标准中有关内存名词及其含义

18.如何根据模组的编号计算模组的RANK数?

19.模组的RANK数跟模组的面数有什么关系?

20.内存标签上的2R×8就表明内存是双面8个颗粒吗?

21.内存标签上的Warranty Void是什么意思?

22.内存标签上的UNB和SOD是什么意思?

23.在内存标签上写的RoHS是什么意思?

24.有害物质是指哪些?

25.内存标签上的“0820”是什么意思?

26.内存标签上的P/N和S/N是什么意思?

27.我的内存是2GB的,为什么颗粒编号说是1GB的? 

三.几个主要内存厂商编号方法介绍

28.三星内存的颗粒是怎样编号的?

29.三星内存的模组是怎样编号的?

30.海力士内存以“HY5”为前缀的颗粒是怎样编号的?

31.海力士内存以“H5”为前缀的颗粒是怎样编号的?

32.海力士SDRAM内存模组是怎样编号的?

33.海力士DDR内存模组是怎样编号的?

34.海力士DDR2内存模组是怎样编号的?

35.海力士DDR3内存模组是怎样编号的?

36.现代的乐金内存是怎样编号的?

37.美光内存的颗粒是怎样编号的?

38.美光内存的模组是怎样编号的?

39.日立、日电和东芝旧内存颗粒是怎样编号的?

40.尔必达内存的颗粒是怎样编号的?

41.尔必达内存的模组是怎样编号的?

42.英飞凌和奇梦达内存的颗粒是怎样编号的?

43.英飞凌和奇梦达内存的模组是怎样编号的?

44.南亚内存的颗粒是怎样编号的?

45.南亚内存的模组是怎样编号的?

46.易胜的颗粒是怎样编号的?

47.易胜的模组是怎样编号的?

48.力晶的内存是怎样编号的?

49.茂矽和茂德的颗粒是如何编号的?

50.茂矽和茂德的模组是如何编号的?

51.金士顿Avardram内存是如何编号的?

52.金士顿HyperX内存是如何编号的?

53.世迈内存的模组是如何编号的?

54.海盗船内存是怎样编号的?

55.瑞士军刀内存模组是怎样编号的?

56.胜创的内存是怎样编号的?

57.威刚内存模组是怎样编号的?

58.宇瞻内存模组是怎样编号的?

59.金邦内存模组是怎样编号的?

60.超胜内存是怎样编号的?

一.关于内存的编号

1.目前的主要内存厂商有哪些?

答:内存生产厂商很多,颗粒的生产厂商主要是韩国的三星、海力士;日本的尔必达;美国的美光;德国的奇梦达和我国台湾的南亚、力晶和茂德等。据报导,2006年,以上几个厂商生产的内存颗粒占世界总产量的98%以上。因此,弄清楚这几个大厂颗粒编号规则就是十分重要的。

模组生产厂商,则要分散得多,著名的有金士顿、世迈、金邦、威刚、胜创、瑞士军刀等。这些厂商大都是用以上颗粒厂生产的颗粒组装模组的,模组的编号基本上都符合JEDEC的规定,因此,认识这些模组生产厂的产品的主要参数和性能没有什么困难。但是,因为这些厂大都有自己的模组编号方法,因此,我也尽可能地对模组编号进行了收集整理。

现将几个主要生产厂商的官方网站介绍如下:

Samsung(三星,也用SEC的标志,韩国):

http://www.samsung.com/global/Semiconductor/Products/dram。

Hynix(海力士,原HyunDai现代,后来又合并了乐金LGS,韩国):

ttp://www.Hynix.com/products/computing/。

Micron(美光,又称镁光、麦康,迈克龙,美国):

ttp://www.micron.com/products/modules/或/SDRAM

Elpida(尔必达,是NEC和日立合组的专业DRAM生产厂,日本):

http://www.elpida.com/en/products/

Qimonda(奇曼达,是从英飞凌和西门子分离出来的,德国):

http://www.qimonda.com/computing-dram

Powerchip(力晶PSC,台湾):http://www.SPC.com

Mosel(茂矽及茂德,台湾):

http://mosel.com.tw和http://www.promos.com.tw

KingMax(胜创,台湾):http://www.kingmax.com.cn/products

Nanya(南亚,台湾):http://www.nanya.com.tw

Elixir(南亚易胜,台湾):http://www. Elixir.com.tw

Kingston(金士顿,台湾):http://www.kingston.com

SMART(世迈,美国):http://www.smartm.com/product

Adata(威刚,台湾):http://www.adata.com.tw

Apacer(宇瞻,台湾):http://www.apacer.com.tw

Corsair(海盗船,美国)http://www.corsairmemory.com/products/

Leadmax(超胜,香港)http://www.leadmax.com.hk

Geil(金邦,中国) http://www.geil.com

2.内存是怎样编号的?

答:内存的主要参数都可以从编号上得到答案。厂家对内存编号的方法有两类,第一类是对颗粒的编号;第二类是对内存模组的编号。在一个内存模组上,这两类编号是同时存在的,而且是密切相关的。另外,JEDEC(电子元件工业联合会,Joint Electron Device Engineering Council)也规定了一个编号方法,在近年出厂的内存标签上也都有这个编号。其实,这是对模组的简单明了的编号。以上几种编号的样式见下图。 内存颗粒和模组编号知识60问(图片待传) - 老头儿 - 老头儿的博客

 颗粒的编号都是刻嵌在内存颗粒上面的,例如,上图中三星内存颗粒上的编号是“K4T1G084QD-ZCF7”(未全部显示出来)。模组的编号是用纸贴在内存颗粒上的,如上图的“M378T5663DZ3-CF7”就是; JEDEC的编号则是写在模组标签的上方,如图中的“2GB 2R×8 PC2-6400U-666-12-E3”就是。

搞清这些编号的含义是十分重要的,因为在这些编号中包含了内存的结构和使用信息。

3.请给出各种内存颗粒编号速查表!

答:因为各种内存的编号方法很不统一,样式也太多,为了使读者查阅方便,我把主要内存厂商的内存编号各择其一两个样子,以便迅速查出该内存是哪个厂商生产的。欲知详细,还要查阅后面的分厂介绍。

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 内存颗粒和模组编号知识60问(图片待传) - 老头儿 - 老头儿的博客4.请给出内存模组编号速查表!

答:下表中的编号只是举例,供检索生产厂用。欲查清您手头的内存编号的含义,还需参看下面的有关问答题。

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二.关于内存的编号方法

5.颗粒编号中的术语有哪些?说明其含义。

答:内存颗粒编号所表达的内容较多,但是,主要是关于内存结构的内容。在进行寻址时就要先确定是哪个L-Bank,然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。对内存的访问,一次只能是一个L-Bank工作,而每次与北桥交换的数据就是L-Bank存储阵列中一个“存储单元”的容量。在某些厂商的表述中,将L-Bank中的存储单元称为Word(此处代表位的集合而不是字节的集合)。

作为一般用户,不可能把内存结构的物理作用了解得很透彻。为了使“菜鸟”网友大概了解一下内存结构的名称及其含义,首先让我用一个比喻作介绍:

假如,有32张方格纸,每张方格纸上有1200个小方格。把这32张完全相同的方格纸分成四摞放到一张桌子上,因此,每摞就有8张方格纸了。

好了,我们就可以用这些条件来说明什么是单元、什么是位宽、什么是L-BANK了。见下表:

 

 

 

 

放到桌子上的方格纸

 

内存颗粒的组织结构

 

在内存中的名称

 

 

 

 

 

对比

 

一张桌子

 

一颗芯片或一个颗粒

 

颗粒或芯片(Chip或Die)

 

一张方格纸

 

一个(逻辑)BANK,一般简称BANK

 

BANK或L-BANK(Internal bank)

 

每张方格纸中的小方格

 

一个BANK中的存储单元(每个cell存储1bit,0或1)

 

单元(cell)

 

一张方格纸的小方格数

 

一个BANK包含的单元格(cell)数

 

BANK深度(BANK depth)

 

各摞方格纸表面的那一层的小方格总数

 

BANK数与BANK深度的乘积,没有单位,只是cell个数

 

颗粒深度(Chip depth)或颗粒长度(Chip length)

 

一摞纸包含的张数(层数)

 

BANK的位宽,也是颗粒的位宽,以b为单位

 

颗粒位宽(bit organization)

 

一张桌子上全部方格纸包含的小方格数

 

颗粒深度W与颗粒位宽M的乘积,如64M×8

 

其乘积就是颗粒密度(Chip Density),单位是Mb或Gb

 

全部方格纸的小方格数除以8后的数

 

颗粒密度除以8b/B后,以MB或GB为单位

 

颗粒的容量(Density或Chip capacity)

 

 

说明:

1.一个逻辑Bank的颗粒深度已知的有1M、2M、4M、8M、16M和32M等。目前的DDR2内存,大都是8M、16M和32M的;

2.一个颗粒的位宽有过4bit、8bit、16bit和32bit的。目前,内存的位宽大都是8b和16b的;

3.一个颗粒中的BANK数有4、8和16个的,DDR内存的位宽多是4BANK的;目前DDR2和DDR3内存大都是采用8个Bank的;

4.BANK的深度与BANK的乘积称为颗粒深度(Chip  depth),也称颗粒长度或地址空间。

5.颗粒密度有64Mb、128Mb、256Mb、512Mb、1Gb和2Gb多种。DDR内存的颗粒密度最大为512Mb;目前DDR3内存的颗粒密度可以达到4Gb。

6.颗粒密度除以8b/B才是以字节表示的每个颗粒的容量(Capacity)。

6.当表示颗粒结构时用“128M×8”是什么意思?

答:在电脑业界,经常把颗的结构用M×W来表示。M就是颗粒深度;W就是颗粒位宽。例如,当用128M×8表示,这个128M就是颗粒深度,单位为1;8是颗粒位宽,单位为bit。二者的乘积就是颗粒密度。颗粒密度的单位是Mb或Gb。

7.怎样根据颗粒编号求出BANK深度?

答:因为在颗粒编号中给出的参数都有颗粒密度、BANK数和位宽,而

颗粒密度=BANK深度×BANK数×颗粒位宽

所以,BANK深度=颗粒密度÷BANK数÷位宽

例如,当三星的颗粒编号是K4T1G084QD时,我们知道颗粒密度=1G=1024Mb;BANK数是8个;颗粒位宽是8bit,因此,就有

BANK深度=1024Mb÷8÷8b=16M

8.怎样根据颗粒编号求出颗粒深度?

答:颗粒深度又称颗粒长度,因为在颗粒编号中给出的有颗粒密度、BANK数和位宽,而

颗粒密度=颗粒深度×颗粒位宽

所以,                 

颗粒深度=颗粒密度÷颗粒位宽

例如,当三星的颗粒编号是K4T1G084QD时,我们知道颗粒密度=1G=1024Mb;颗粒位宽是8bit,因此,就有

颗粒深度=1024Mb÷8b=128M

9.如何根据颗粒的编号计算模组容量?

答:把颗粒密度乘以颗粒数就可以得到以Mb表示的内存的容量了。如果用8个颗粒,模组容量就是1024Mb×8=8192Mb。如果把它换算成我们熟悉的字节表示,除以8b/B后,就可以得到1GB了。

这种情况往往给人造成错觉,以为颗粒编号中的“1G”就表示内存容量是1GB的。其实这是错误的,因为你不能根据一个颗粒的密度就判定模组的容量。因为容量的大小跟颗粒数有关。对于颗粒密度是1Gb的颗粒来说,如果你用的是8个颗粒,容量就是1GB:如果是用16个颗粒的话,容量就是2GB了。

10.怎样根据内存编号查出内存的速度?

答:内存的速度是内存的一个重要的技术指标。所以,在颗粒和模组的编号上都必须给以标注。标注方法基本上是用数字或英文字符表示的。但是,在一般情况下,从这些字符上是看不出具体速度值的。而且各个厂家的表示方法也不尽一致,必须根据厂家给出的说明予以认定。不过,这个标志的位置通常都是置于编号后部的短字符“-”的后面。例如,三星内存模组的编号是M378T5663DZ3-CF7时,“-”后的“F7”就表示DDR2-800。

11.内存模组编号的术语有那些?说明其含义。

答:内存模组编号的内容除了反映所采用的颗粒的特性外,还反映了模组的参数。例如插槽的类型、模组的数据深度、数据位宽等。有的内存编号还直接反映内存的容量。

为了使“菜鸟”网友大致了解模组编号中所使用的技术术语,还是想利用在桌子上摆方格纸的例子做对比说明。

 

 

 

 

 

方格纸的摆放方法

 

模组的组成方法

 

在内存中的名称

 

 

用摆方格纸做比喻

 

把几张桌子上的方格纸合并,按原摞数叠成每摞64张

 

把几个颗粒并联成64bit的集合

 

64bit是一个RANK或一个物理BANK(P-BANK)

 

几张桌面上的方格纸合并成64张为一摞后,第一层方格纸包含的小方格数

 

组成位宽为64b的模组后,整个模组的数据深度。可能是颗粒深度的一倍或2倍

 

模组的数据深度Module depth。是颗粒深度的两倍时,就是2RANK

 

各张桌面上的方格纸合并成64张为一摞后,全部方格纸包含的小方格数

 

内存模组数据深度×64b。单位是Mb或Gb

 

模组密度Module sensity

 

全部小方格数除以8

 

模组密度除以8b/B,以MB或GB为单位

 

模组容量Module Capacity或sensity

 

注:如果模组的深度和颗粒深度相同,称为1个RANK的内存;如果模组的深度是颗粒深度的2倍,称为2RANK的内存。

12.当表示模组结构时用256M×64是什么意思?

答:其中的“256M”表示模组的深度是256M;“64”表示 模组的数据宽度是64b。普通用户使用的电脑都是用”64”表示。二者的乘积就是模组的密度。模组密度除以8b/B就可以求出模组的容量。例如,对于标有256M×64的模组,其容量就是

256M×64b÷8b/B=2048MB=2GB

为了简化估算,将模组深度乘以8b/B,就可以得出模组容量了。

13.什么是RANK?

答:CPU与内存之间的接口位宽是64bit,也就意味着CPU在一个时钟周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据。可是,单个内存颗粒的位宽仅有4bit、8bit或16bit,个别也有32bit的。因此,必须把多个颗粒并联起来,组成一个位宽为64bit的数据集合,才可以和CPU互连。生产商把64bit集合称为一个物理BANK(Physical BANK),简写为P-BANK。为了和逻辑BANK相区分,也经常把P-BANK称为RANK或Physical RANK,把L-BANK则简称为BANK。

如果每个内存颗粒的位宽是8bit,应该由8个颗粒并联起来,组成一个RANK(64bit);同理,如果颗粒的位宽是16bit,应该由4个颗粒组成一个RANK。

由此可知:Rank其实就是一组内存颗粒位宽的集合。具体说,当颗粒位宽×颗粒数=64bits时,这个模组就是有一个RANK。

为了保证和CPU的沟通,一个模组至少要有一个RANK。但是,为了保证有一定的内存容量,目前,DDR2内存,经常是采用一个模组两个RANK的架构。(过去也有用几个模组组成一个RANK的情况)。 

14.如何根据模组的编号计算模组的容量?

答:模组的深度与模组的数据宽度的乘积就是模组密度(Module Density)。此密度除以8b/B就是模组的容量(Memory capacity)。例如,当三星模组编号是M378B5673DZ1-CH9时,模组的深度是256M,数据宽度是64b,则模组容量就是

256M×64b÷8b/B=256M×8B=2048MB=2GB

如果不考虑单位,简单的换算方法是将模组深度数乘以8B就是内存的容量数。即256M×8B=2048MB=2GB。

有些品牌内存(如宇瞻和奇梦达)的模组编号中也直接显示出内存的容量。

15.如何根据模组和颗粒的编号推算模组的颗粒数?

答:因为模组的编号上可以知道模组深度和数据宽度,因此,二者相乘就是模组的密度。另外,从颗粒编号中可以知道颗粒的密度,因此有

颗粒数=模组密度÷颗粒密度

例如,当三星模组编号是M378B5673DZ1-CH9时,模组数据深度是256M。数据宽度是64b,因此,

模组密度=256M×64b=16384Mb。

另外,已知所用的颗粒编号是K4T1G084QD-ZCF7,颗粒密度是1024Mb

因此,

颗粒数=16384Mb÷1024Mb=16颗。

16.JEDEC对内存编号是如何规定的?

答:在JEDEC第21C号标准第8条中,对DDR2内存产品的标签(Product lable)的格式和内容有具体的规定。下表的标签就是按JEDEC的标准设置的。

内存颗粒和模组编号知识60问(图片待传) - 老头儿 - 老头儿的博客

 其中的:

“模组总容量”(Module total capacity)有256MB,512MB,1GB,2GB,4GB等;

“模组构成”中的“R”是“RANK”的意思。“2R”是说组成模组的RANK数(Number of ranks of memory installed)是2个。有“1R”和“2R”两种;

“模组构成”中的“×8”是颗粒的位宽(bit width),有×4、×8和×16三种;

“模组名称”的“PC2-6400”中的“6400”是以MB/s表示的模组带宽(Module bandwidth),有“PC2-5300”(DDR2-667)和“PC2-6400”(DDR2-800)等(DDR2-1066并不是JEDEC标准)

“插槽类型”即是模组类型(Module Type),有F ( Fully Buffered DIMM ("FB-DIMM"))、M ( Micro-DIMM)、N( Mini-Registered DIMM)、P( Registered DIMM)、R( RDIMM)、S( Small Outline DIMM)和U( Unbuffered DIMM ("UDIMM"))等多种标识。但是,对普通电脑用户来说,使用的是“U”型(Unbuffered non-ECC DIMM),即桌式普通内存和“S”型(SO-DIMM),即笔记本型内存。有的厂家还把“插槽类别”(模组类型)中的“U”用“UNB”(Unbuffered DIMM)单独表示;把“S”用“SOD”(SO-DIMM)单独表示。

“时序”中的“666”分别表示表示“CL”、“tRCD”和“tRP”的延迟值,这里都是6。也有的厂家还把时序的第4个延迟tRAS也表示出来,例如:6-6-6-18。

“SPD版次”的原文是JEDEC SPD Revision Encoding and Additions level used on this DIMM,其中的“12”表示JEDEC SPD是1.2版;

最后的参考项是生产厂商设计时采用JEDEC标准情况的有关标记和版本。

17.请解释JEDEC标准中有关内存名词及其含义!

答:JEDEC标准中对内存名词的含义如下:

Unbuffered DIMM—无缓存的普通桌式内存,一般表示为UDIMM、 DIMM或UNB;

DIMM Capacity—内存的总容量,以MB为单位表示。在有的厂家也把模组容量称为DIMM Density。

DIMM Organization—内存模组的结构。以整个模组的数据深度跟数据位宽的形式表示。例如:“128Meg×64”表示模组的数据深度是128Meg,模组的数据宽度是64bit。由此可以推出模组的总容量是128M×64b÷8b/B=1024MB=1GB;

SDRAM Density—颗粒的密度,即每个颗粒的总位(bit)数。例如,当SDRAM Density是512Mb时,由16个颗粒组成的模组容量就是512Mb×16÷8b/B=1024MB=1GB;由8个颗粒组成时,模组容量就是512MB。

SDRAM Organization—颗粒结构。是颗粒深度(SDRAM depth)与颗粒位宽的乘积。例如,当SDRAM Organization是64Meg×8时,颗粒密度就是64M×8b=512Mb。在内存业界也把颗粒深度称为颗粒长度,以跟BANK深度相区别;

Number of SDRAM—颗粒数;

Number of Physical Rank—物理RANK数,即P-BANK数。在本文中简称RANK数;

Number of Bank in SDRAM—一个颗粒的逻辑BANK数;

SDRAM Packge Type—颗粒的封装类型。

18.如何根据模组的编号计算模组的RANK数?

答:根据模组组成原理可以知道:如果模组的深度等于颗粒的深度,就是一个RANK;如果模组的深度等于两倍颗粒深度,就是两个RANK。例如,编号为M378B5673DZ1的三星模组的模组深度是256M。又因为这种模组采用的是K4T1G084QD颗粒。这种颗粒的密度是1024Mb;位宽是8b,因此,颗粒深度是1024Mb÷8b=128M。即模组深度是颗粒深度的两倍,因此,是两个RANK。

此外,从模组编号或颗粒编号给出的颗粒位宽和实际颗理粒数也可以计算出RANK数。例如,当颗粒位宽是8b时,模组用了8个颗粒,8×8b=64b,就是一个RANK;如果用了16颗颗粒,16×8b=128b,就是两个RANK。

19.模组的RANK数跟模组的面数有什么关系?

答:模组的面(side)数跟RANK数是两个不同的概念。而且在内存的编号中也都没有反映面数。但是,模组的面,不是一个,就是两个;而目前的RANK数也是这样。因此,用符号表示它们时,很容易混淆。但是,可以很明确地说:内存标签中的“R”是表示RANK,不是表示面数,内存“面”的英文字是Side,如果表示两个面的话面,应该是“2S”才是呀!

20.内存标签上的2R×8就表明内存是双面8个颗粒吗?

答:不是的。“R”表示RANK,这在上面已经解释过了。“×8”就是颗粒位宽是8bit的意思。因为1个RANK是64bit,两个RANK就是128bit,因此,符号“2R×8”就表示这个模组有2个RANK,颗粒的位宽是8b。因此,这个模组用的颗粒是128b÷8b/颗=16颗,而不是8颗。同理,当内存条上的标签标明是“1R×16”时,就表明这个模组是1个RANK;颗粒位宽是16bit。其颗粒数是64b÷16b/颗=4颗。绝不是16颗。

21.内存标签上的Warranty Void是什么意思?

答:Warranty Void if label Removed的含义是:如果此标签破坏了,将不予保修保换的意思。

22.内存标签上的UNB和SOD是什么意思?

答:UNB是Unbuffered DIMM的意思,就是没有缓冲、没有ECC的普通桌式内存;SOD是SO-DIMM的意思,就是普通的笔记本电脑内存。在JEDEC的标志中,UNB用“U”表示;SOD用“S”表示。见第16问。

23.在内存标签上写的RoHS是什么意思?

答:RoHS是欧盟《电气、电子设备中限制使用某些有害物质指令》(the Restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment)的英文缩写。其发布的标准称为RoHS认证,RoHS认证是目前最严格的环境认证之一。欧盟已经在2006年7月1日实施RoHS,届时使用或含有重金属以及多溴二苯醚PBDE、多溴联苯PBB等阻燃剂的电气电子产品将不允许进入欧盟市场。

24. 有害物质是指哪些?

答:RoHS一共列出六种有害物质,包括:铅Pb,镉Cd,汞Hg,六价铬Cr6+,多溴二苯醚PBDE,多溴联苯PBB。

25.内存标签上的“0820”是什么意思?

答:说明该产品是2008年第20周生产的。

26.内存标签上的P/N和S/N是什么意思?

答:P/N是产品编号的意思,主要是说明产品的技术特性。本文就是探讨这个编号的含义的;S/N是该产品系列号的意思,主要是说明该产品的生产时间和序列号。

27.我的内存是2GB的,为什么颗粒编号说是1GB的?

答:你说你的内存颗粒编号是:HYB18T1G802AF-3S,这是英飞凌DDR2-667的颗粒,它的颗粒密度的确是1Gb(不是1GB),如果有8个颗粒的话,模组的容量是1GB的,如果是16个颗粒就是2GB的了。

在一般情况下,在颗粒的编号中标注的是颗粒的密度,单位为Mb或Gb。在模组编号中只标注模组的深度(是M数或G数)和模组的数据宽度(64b)。模组的容量通过计算才能求出来。计算方法上见第9和第12问。 

三.各种常用内存的编号方法

28.三星内存颗粒是如何编号的?

答:三星内存的颗粒(单个芯片)编号是直接嵌刻在颗粒上的,其编号规则和符号的意义见下图(是我根据厂家官方网站的说明整理的):

内存颗粒和模组编号知识60问(图片待传) - 老头儿 - 老头儿的博客

在上表中只给出了DDR2的速度(Speed)表示方法。

DDR速度的表示方法是:

CC:DDR400(200MHz@CL=3,tRCD=3,tRP=3)

B3:DDR333(166MHz@CL=2.5,tRCD=3,tRP=3)

A2:DDR266(133MHz@CL=2,tRCD=3,tRP=3)

B0:DDR266(133MHz@CL=2.5,tRCD=3,tRP=3)

DDR3的速度(Speed)表示方法是:

F7:DDR3-800(400MHz@CL=6,tRCD=6,tRP=6)

F8:DDR3-1066(533MHz@CL=7,tRCD=7,tRP=7)

H9:DDR3-1333(667MHz@CL=9,tRCD=9,tRP=9)

K0:DDR3-1600(800MHz@CL=11,tRCD=11,tRP=11)。

此外,颗粒密度(Density)还有非8的整数倍的表示方法。有33、65、29、57、52、和1K的标记。其意义如下:

33:32M(for128Mb/512Mb);65:64M(for128Mb/512Mb);

29:128M(for128Mb/512Mb);57:256M(for512Mb/2Gb);

52:512M(for512Mb/2Gb);1K:1G(for2Gb)

⑴三星DDR内存颗粒编号举例

三星内存颗粒的编号是K4H560838H-UCB3时,“K4H”说明这是一个DDR内存;“56”说明其颗粒密度是256Mb;“08”说明颗粒位宽是8bit;后面的“3”说明是4个BANK;“3”后的“8”说明是SSTL接口,2.5V;“H”说明版本较新。编号最后的“B3”说明这是一个DDR333内存颗粒。

⑵三星DDR2内存颗粒编号举例

三星内存颗粒的编号是K4T1G084QD-ZCF7时,“K4T”说明这是一个DDR2内存;“1G”说明其颗粒密度是1Gb;“08”说明颗粒位宽是8bit;后面的“4”说明是8个BANK;“4”后的“Q”说明是SSTL接口,1.8V;“D”说明版本是第5版。编号最后的“F7”说明这是一个DDR2-800内存颗粒,CL=6,质量不如“E7”的。

⑶三星DDR3内存颗粒编号举例

三星内存颗粒的编号是K4B2G1646B-ZCH9时,“K4B”说明这是一个DDR3内存;“2G”说明其颗粒密度是2Gb;“16”说明颗粒位宽是16bit;后面的“4”说明是8个BANK;“4”后的“6”说明是SSTL接口,1.5V;“B”说明版是第3阪。编号最后的“H9”说明这是一个DDR3-1333内存颗粒。

29.三星内存的模组是怎样编号的?

答:三星(Samsung)内存的模组(内存条)编号规则和符号见下图,该图是我根据厂家官方网站的说明归纳的:

内存颗粒和模组编号知识60问(图片待传) - 老头儿 - 老头儿的博客

⑴三星DDR内存模组编号举例:

M368L6423HUN-CB3中的“M368L”表示这是三星DDR普通桌用电脑内存,其中的“68”表示模组数据位宽是64bit、184针的UDIMM内存;之后的“64”表示模组的数据深度是64Meg;再往后的“2”表示颗粒有4个BANK;后面的“3”表示颗粒位宽是8位;“HUN”分别表示版次和封装等;最后的“B3”表示这是一个DDR333内存。这种内存的总容量需要通过计算才能知道,容量为64M×64b÷8b/B=512MB。因为UDIMM内存的数据宽度是64b,因此,直接把数据深度乘以8b/B就可以得到总容量。即有64b×8b/B=512MB。下同。

⑵三星DDR2内存模组编号举例:

M378T5663DZ3-CF7中的“M378T”表示这是三星DDR2普通桌用电脑内存,其中的“78”表示传输的数据位是64bit的UDIMM内存;之后的“56”表示模组的数据深度是256Meg;再往后的“6”表示颗粒有8个BANK;“3”表示颗粒位宽是8bit;“DZ3”分别表示版次和封装等;最后的“F7”说明这是一个DDR2-800内存。因此,容量是256M×64b÷8b/B=2048MB=2GB。

⑶DDR3内存模组举例:

M378B5673DZ1-CH9中的“M378B”表示这是三星DDR3普通桌用电脑内存,其中的“78”表示传输的数据位是64bit、240针的UDIMM内存;之后的“56”表示模组的数据深度是256Meg;再往后的“7”表示颗粒有8个BANK3;“3”表示颗粒位宽是8bit;“DZ1”分别表示版次和封装等;最后的“H9”说明这是一个DDR3-1333内存。因此,模组的总容量是256M×64÷8b/B=2GB。

30.海力士内存以“HY5”为前缀的颗粒是怎样编号的?

答:韩国Hynix(海力士)原来是现代(Hyundai)公司所属的一个内存生产厂,当时生产的内存颗粒编号都是以“HY”为前缀的。后来Hynix成了一个独立的内存生产厂,其颗粒编号也改为以“H”为前缀了。因此,一般把以“HY”为前缀的内存颗粒称为“现代”内存;而把以“H”为前缀的颗粒成为“海力士”内存。其实都是Hynix的产品。

以“HY5”为前缀的内存颗粒都是比较早期的内存,在计算机用的内存中,DDR2和DDR3内存没有再使用“HY”为前缀为编号。但是,在Consumer Memory(用于电视机机顶盒或摄像机等用的内存)中,仍然继续使用了一段时间。2007年决定所有海力士内存的前缀都用“H”代换“HY”。现在举例说明以“HY5”为前缀的内存的命名方法,见下表所示(根据厂家网站资料,按我的理解归类的)。

以“HY5”为前缀的海力士内存颗粒的编号规律

 

 

含义

 

类型

电压

密度

位宽

 

BANK

接口

版本

功耗

封装

 

-

速度

温度

 

SDRAM

 

HY57

 

V

 

56

 

8

 

2

 

0

 

F

 

 

TP

 

-

10s

 

 

 

SDRAM

 

HY57

 

V

 

65

 

16

 

2

 

0

 

A

 

 

 

TC

 

-

 

75

 

 

 

DDR1

 

HY5D

 

U

 

56

 

8

 

2

 

2

 

D

 

 

TP

 

-

D43

 

 

 

DDR1

 

HY5D

 

U

 

12

 

4

 

2

 

2

 

B

 

L

 

T

 

-

 

M

 

 

 

注;其中的速度,对SDRAM来说:5:5ns(200MHz);6: 6ns(166MHz);75: 7.5ns(133MHz);

K: PC133, CL2;H: PC133, CL3;P: PC100, CL2;S: PC100, CL3;10: 10ns(100MHz);

15: 15ns(66MHz)。

对DDR来说:有过变动,“D4”代表DDR400,时序为3-4-4;“D43”代表DDR400,时序为3-3-3;“J”代表DDR333;“M”、“K”和“H”都代表DDR266,只是时序不同;“L”代表DDR200;“4”代表250MHz;“5”代表200MHz。

其他项的解释:

类型:“HY”现代的意思;“5”和“57”都代表SDRAM内存;“5D”代表DDR1内存;

电压:是指处理工艺和供电电压(PROCESS & POWER SUPPLY):对SDRAM和DDR1:

空白是5V;“V”代表CMOS,3.3V;“U”代表CMOS,2.5V;

密度:是指颗粒密度和刷新速度(DENSITY & REFRESH):

对SDRAM来说,“64”和“65”都是64Mb;“26”和“28”都是128Mb;“56”和“52”都是256Mb。

对DDR1来说,“28”是128Mb;“56”是256Mb;“12”是512Mb 。

根据密度和模组颗粒数就可以知道模组的容量。例如,密度标以“12”时,如果有8个颗粒,模组容量就是512MB;如果有16个颗粒,容量就是1GB。

位宽:是指颗粒的位宽(datawidth):

“4”代表“×4”;“8”代表“×8”;“16”代表“×16”;“32”代表“×32”。

BANK:是指每个颗粒的逻辑BANK数。“1”代表2BANK;“2”代表4BANK;“3”代表8BANK。

接口:是指颗粒的电气接口(Interface)。“0”代表LVTTL;“1”代表SSTL;“2”代表SSTL_2;

版本:是指颗粒出厂的版本。空白代表第1版;二版后依次用A、B、C、D等表示;

功耗:是指功率消耗(Power consumption)。空白表示正常耗电;“L”表示低功耗;

封装:芯片发封装方法(Package)。TC:400mil TSOPII;JQ:100Pin-TQFP;

速度;速度(speed)是指颗粒的频率,说明见表注。

温度:温度(Temperature),“I”是工业温度;“E”是扩展温度。但是,在编号中经常没有这一项。

31.海力士内存以“H5”为前缀的颗粒是怎样编号的?

答:以“H5”为前缀的内存颗粒命名方法是Hynix(海力士)完全从现代(Hyundai)独离出来以后的命名方法,比较规范。因为编号的位数相同,就不致引起误解,下表是2008年的编号举例:

内存颗粒和模组编号知识60问(图片待传) - 老头儿 - 老头儿的博客

在表中各个符号的含义:前缀中的“H”代表Hynix;“5”代表SDRAM;但是,应该注意的是“位宽”中的“6”是代表16位的。密度中的“64”是64M / 4K REF / 64ms;“12”是 128M / 4K REF / 64ms;“25”是 256M / 8K REF / 64ms;“51”是 512M / 8K REF / 64ms 。

电压和处理工艺中的“Q”代表VDD=1.5V&VDDQ=1.5V。封装类型中的“F”代表FBGA。封材中的“P”代表铅;“R”代表卤素类。能源消耗:(空白=普通;L=低功耗型).封装类型:(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8xmm)).封装堆栈:(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC)).封装原料:(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素).速度:(D4=DDR4--;D4=DDR4-4-4;J=DDR;M=DDR--;K=DDR66A;H=DDR66B;L=DDR)4.工作温度:(I=工业常温(-4-85度);E=扩展温度。其他可参看前表。

32.海力士SDRAM内存模组是怎样编号的?

答:此类模组类型很多,现将普通用户常用的两种DIMM168针内存介绍如下:

⑴以HYM7为前缀的内存

前缀

数据宽度

深度

刷新

BANK

 

-

速度

 

说明

HYM7V

 

64

 

8

 

0

 

1

 

 

 

 

 

64MB,PC66,168pin

HYM7V

 

65

 

8

 

0

 

1

 

 

 

 

 

64MB,PC100,168pin

HYM7V

 

63

 

16

 

0

 

1

 

 

 

 

 

128MB,PC133,168pin

HYM7V

 

65

 

4

 

0

 

0

 

 

 

10

 

32MB,PC100,168pin

 

“HYM7V”是海力士早期的SDRAM内存模组;

“64”、“65”和“63”都表示数据位宽是64bit,但是,频率不同;

“深度”是指模组的深度,有“1”、“2”、“4”、“8”和“16”等,是Meg数;

“刷新”是指刷新速度。“0”、“1”、“2”和“3”分别代表1K、2K、4K和8K;

“BANK”代表每个颗粒的逻辑BANK数。“0”是2BANK;“1”是4BANK;

模组容量=数据位宽(b)×深度÷8b/B

⑵以“MYM71”为前缀的海力士模组

 

 

前缀

数据宽度

 

深度

刷新

BANK

 

-

 

说明

HYM71V

 

64

 

 

 

8

 

0

 

1

 

-

 

64MB,PC66,168pin

HYM71V

 

65

 

M

 

16

 

0

 

1

 

-

 

128MB,PC100,SODIMM

HYM71V

 

63

 

 

 

32

 

0

 

1

 

-

 

256MB,PC133,168pin

HYM71V

 

65

 

 

 

4

 

0

 

0

 

-

 

32MB,PC100,168pin

 

注:因为当时有几个厂生产SDRAM内存,编号不很统一,不再一一列举。

33.海力士DDR内存模组是怎样编号的?

答:海力士(Hynix)DDR内存模组2001年有一个以“HYD”为前缀的编号法,2002年又修改为以“HYMD”为前缀的编号法。除了前缀有所不同外,二者的差别不大,而且后者也涵盖了前者。因此,我把它们列成了一个表。

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34.海力士DDR2内存模组是怎样编号的?

答:海力士(Hynix)DDR2内存模组2007年有一个以“HYMD”为前缀的编号法,2008年又修改为以“HMD”为前缀的编号法。除了前缀有所不同外,二者的差别不大,而且后者也涵盖了前者。因此,为了简化,我把它们列成了一个表,供一般电脑爱好者使用已足够用。

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模组的容量可以用数宽×模深÷8或用颗粒数×颗粒密度的方法得到。例如对于第1行的编号为“HYMP532U64CP6-Y5”的模组来说,容量是64b×32M÷8b/B=256MB。或用512Mb/颗×4颗÷8b/B=256MB。后缀为“Y5”,说明这个模组是容量为256MB的DDR2-667内存。

35.海力士DDR3内存模组是怎样编号的?

答:2007年发布了一个以“HYMT”为前缀的编号方法,2008年又改为以“HMT”为前缀的编号方法。二者的差别不大。为了简化,我把它们归结为一个表表示。见下表:

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36.现代以“GM”搞和“GMM”为前缀的内存是怎样编号的?

答:以GM开头内存内存原是LGS公司(乐金)生产的内存,由于Hyundai(现代)公司收购了LG的内存制造部门,并继续以这个牌子生产了一段时间,所以,也可以认为以“GM”为前缀的内存也是现代内存。又因为现代公司的内存生产厂是Hynix(海力士),因此也可以说这种内存是海力士内存的早期产品。

一.以“GM”为前缀的颗粒编号方法见下表:

 

 

含义

 

类型

电压

密度

位宽

 

BANK

接口

版本

功率

封装

 

-

速度

 

SDRAM

 

GM72

 

V

 

16

 

8

 

2

 

1

 

C

 

 

 

T

 

-

 

10K

 

SDRAM

 

GM72

 

V

 

28

 

16

 

2

 

1

 

B

 

 

 

T

 

-

 

75

 

其中:

密度:颗粒密度和刷新速度,有16(16M,4K);17(16M,2K);28(128M,4K);64(64M,16K);65(64M,18K);66(64M,14K);

位宽:4(×4);8(×8);16(×16);32(×32);

BANK:有1、2、4、8,分别代表1、2、4、8个BANK;

接口:有“1”,代表LVTTL;

版本:空白代表原始版;“A”、“B”和“C”依次为修订第1、第2和第3版;

功耗:空白则为普通的;“L”表示是低功耗;

封装:有“T”、“R”、“I”和“S”;

速度;有6(166MHz);65(153MHz);7(143MHz);75(133MHz);8(125MHz);7K(PC100,2-2-2);7J(PC100,3-3-3);10K(PC66);10J(PC66);12(83MHz);15(66MHz)。

二.以“GMM”为前缀的模组编号方法见下表:

 

公司

厂名

类型

位宽

深度

刷新

模式

结构

芯版

模版

封装

 

-

速度

 

GMM

 

 

 

7

 

64

 

16

 

1

 

6

 

3

 

 

 

N

 

T

 

-

 

6

 

 

其中:

公司(HYNIXC-Site):符号“GMM”代表海力士公司;

厂名(MANUFACTURE):是指该内存的具体生产工厂,有LGS工厂,符号是空白;SMART用“S”表示;Tanisys用“T”表示;

家族(FAMILY):表示颗粒的类型,“7”或“2”表示SDRAM;

位宽(ORGANIZATION):是表示模组的位宽(ORGANIZATION):8:x8;9:x9;32:x32;33:x32(2CAS);34:x32(2WE);36:x36;64:x64;65:x64(2CAS);66:x64(2WE);67:x64(4CAS);72:x72;73:x72,ECC;14:x144。

深度(DEPTH):是模组的数据深度。有1:1M;2:2M;4:4M;8:8M;16:16M;32:32M;64:64M;

刷新(REFRESH):有0:1KRefresh;1:2KRefresh;2:4KRefresh;3:8KRefresh;

模式(ACCESS/VOLTAGEMODE):是存储/电压模式。有:5FastPageMode,5V;6:EDOMode,5V;7:FastPageMode,3.3V;8:EDOMode,3.3V

构件(COMPOSITIONCOMPONENT):有0:168pinBufferedSIMM/DIMM;1:200pinBufferedDIMM;3:168pinUnbufferedDIMM;7:144pinUnbufferedSODIMM;

芯版(ICREVISIONNO.):是指颗粒的版本。有:空白:原始版(Original);A:第1版;B:第二版;C:第3版等;

模版(MDLREVISIONNO.)模组的版本。空白是原始版;N是第1版;M是第二版等;

封装(PACKAGE&TERMINAL)是封装和端子:S是:SOJSOLDER;SG是SOJGold;是T是TSOP,Solder;I是BLP,Solder;TG是TSOP,Gold;

速度(Speed):5:50ns;6:60ns;7:70ns.

37.美光内存的颗粒是怎样编号的?

答:Micron(美光)是著名的美国的内存生产厂,在西安有生产厂。美光在我国被译成多种名称,如镁光、麦康、麦克龙等。

美光内存的编号方法不像三星和海力士那样复杂多变。各种UDIMM(也作UBDIMM)内存的颗粒编号规则见下表。遗憾的是美光颗粒的编号虽然简化明确,但是,它经常不是把这个编号嵌刻在颗粒上。

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美光内存海有一个Crucial品牌,是很出名的,但是,也不是按规定编号的。例如前几年被炒得沸沸扬扬的美光D9颗粒,由于五位编号全以“D9”为起始,所以也被称为“D9”颗粒。

38.美光内存的模组是怎样编号的?

答:参照美光官方网站的说明,经过我归纳,举例及解释见下表:

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39.请介绍日立日电和东芝旧内存颗粒的编号

答:日立和NEC的DRAM内存生产任务已经合并到尔必达了。但是,一些旧内存还在继续使用,因此,也把他们列出来。

一.日立(HITACHI)颗粒

 

前缀

密度

位宽

 

 

版本

 

功耗

 

 

 

速度

 

我   注

 

HM52

 

64

 

80

 

5

 

F

 

 

 

-

 

B60

 

PC100,密度64Mb

 

HM52_SDRAM内存;

密度:以Mb为单位,有64/32等;

位宽:40:×4;80:×8;16:×16;

功耗:空为普通;L为低功耗;

速度:75:133MHz;80:;A60:100MHZ,CL2;B60:100MHzCL2

二.日电(NEC)颗粒

 

前缀

密度

位宽

 

BANK

接口

封装

 

 

 

速度

 

我  注

 

μPD45

 

64

 

8

 

4

 

1

 

G5

 

-

 

A80

 

PC125,密度64Mb

 

μPD45—日电SDRAM(44是SRAM);

密度:以Mb为单位,有64/32等;

位宽:有4/8/16/32,以b为单位;

BANK数:有3/4代表有4个BANK;2代表有2个BANK;

接口:1代表LVTTL;

速度:70/75:133MHz;80:125MHz;10/10B:100MHz。

三.东芝(TOSHIBA)颗粒

 

前缀

类型

密度

位宽

版本

封装

功耗

 

-

速度

 

我   注

 

TC59

 

S

 

64

 

08

 

B

 

FT

 

L

 

-

 

80

PC125,密度64Mb

 

前缀:TC59—东芝SDRAM内存;

类型:S:SDRAM;M—DDRSDRAM;

密度:以Mb为单位,有64/32等,但是,M7代表128Mb;

位宽:有04/08/16等,单位为b;

功耗:L为低功耗,空白为普通;

速度:同NEC。 

40.尔必达的内存颗粒是怎样编号的?

答:尔必达的颗粒编号也比较规矩一致,不像海力士那样复杂多变。现在根据该官方网站的介绍归纳如下:

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41.尔必达内存模组编号规则是什么?

   答:尔必达(Elpida)内存模组编号规则见下表:

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42.英飞凌和Qimonda内存的颗粒是怎样编号的?

答:英飞凌(Infineon)原来是西门子(simens)所属的生产半导体的专业厂,所以,也经常把它生产的内存叫西门子内存。但是,后来英飞凌又把生产内存的任务转移给了专门生产内存的奇梦达(Qimonda)公司。因此,在内存行业,西门子、英飞凌、奇梦达这三个名称就紧密地被联结到了一起。

早期生产的英飞凌SDRAM、DDR和DDR2内存颗粒的编号规则见下表;

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    奇梦达对DDR3的颗粒又有新的编号,规则如下:

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43.英飞凌和奇梦达内存的模组是怎样编号的?

   答:英飞凌的DDR和DDR2模组的编号规则见下表:

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    奇梦达DDR3内存模组的编号规则见下表:

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44.南亚内存的颗粒是怎样编号的?

答:南亚(Nanya)科技公司(南科)是我国台湾著名的的内存生产厂,属台塑集团成员。其内存有南亚和易胜(Elixir)两个品牌。质量都不错。

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45.南亚内存的模组是怎样编号的?

  答:见下表:

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46.易胜内存的颗粒是怎样编号的?

答:易胜和南亚都同属一个集团,易胜是生产普通电脑内存的专业厂。但是,两个厂的编号方法却不尽一致。

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47.易胜的内存模组是怎样编号的?

   答:见下表:

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48.力晶的内存是怎样编号的?

答:力晶(www.PSC.com)虽是内存大厂商,但是,网站内容极简单,更没有给出编号规则,在颗粒上注有UMAX或SPC商标,但是颗粒的编号也不是很清楚。模组是按JEDEC的规定编号的,因此,内存的主要参数还是可以从标签上得到的。

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49.茂矽和茂德的颗粒是如何编号的?

答:茂矽(Mosel)和茂德(ProMOS)在DRAM领域可以说是母子关系。2003年茂矽主营方向转变并退出DRAM市场后,其内存生产任务转移到茂德。因此,其内存(台湾称记忆体)的编号方法是一脉相承的。其颗粒编号规则见下表:

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50.茂矽和茂德的模组是如何编号的?

答:茂德内存模组的编号方法相同。模组的容量不能一眼就能看出来。因此,需要计算。判断模组容量的方法有两个:一是根据给出的颗粒密度和颗粒数计算:如果颗粒密度是256Mb,而且有8个颗粒的话,容量就是256MB;如果有16个颗粒,就是512MB。因为

模组容量=颗粒密度×颗粒数÷8b/B

另一个算法是:

模组容量=模组数据深度×64b÷8b/B=模组深度×8B

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51.请说明金士顿ValueRAM内存编号的含义?

答:金士顿内存模组的产销量在全世界是排在第一位的。它的颗粒主要是几个著名的颗粒生产厂。有两个品牌,一个是ValueRam,是普通内存;另一个品牌是HyperRAM,速度更快些。下图就是金士顿ValueRam内存模组的编号形式。

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金士顿内存的编号方法比较容易理解。其中的英文含义如下:

KVR—金士顿普通内存;

Speed—速度,给出的是数据频率数;

NoneECC—不具纠错功能;

CASLatency—时序的CL值;

Capacity—模组的总容量,以MB为单位。目前的容量有128MB、256MB、512MB、1GB、2GB和4GB等。

其中的“K2”说明在内存盒的包装中有两个内存条,供组成双通道用。每个模组的容量是1GB,而不是2GB。“K3”的意思类似,说明在包装盒中有三个1GB的内存条。

例如,当其编号为”KVR1333D3N9K2/4G”时,说明这是金士顿DDR3-1333内存,没有纠错功能,CL=9,单个的容量是2GB,内存总容量是4GB。

金士顿内存除了采用其他专业芯片生产厂的颗粒外,也有自己的颗粒编号方法。但是,字迹很小,在自己的网站上也没有介绍。

52.请说明金士顿HyperX内存编号的含义?

答:金士顿HyperRAM内存是为满足电脑爱好者的要求而生产的一种高性能的普通内存,与一般商用内存相比,的其速度更快、延迟更小和功耗更低些。其编号都是以“KHX”打头的。跟以“KVR”打头的普通内存的编号方法稍有差异。例如:

KHX6400D2/1G是容量为1GB、频率为800MHz、没有ECC的桌上电脑用的DDR2内存;

KHX6400D2LL/2G是容量为2GB、频率为800MHz、低延迟(LowLatency)、无ECC内存;

KHX6400D2LLK2/2G是单个容量为1GB、频率为800MHz、低延迟(LowLatency)、无ECC的配套内存,每个包装盒有两个模组,供双通道用.LL表示低延迟;

KHX6400S2LLK2/2G,其参数跟上面的内存相同。只是用“S2”代替了“D2”,说明这是一个笔记本电脑用的内存。

53.世迈内存的模组是如何编号的?

 答:世迈(SMART)是排名仅次于金士顿的世界第二大的美国模组生产厂商,其产品目前已经打入中国市场。官方网站是www.smartm.com。因为网站没有给出模组编号的解释,因此只能根据网站提供的其他信息对UDIMM和SO-DIMM内存模组的容量和速度做出如下解读,供参考:

世迈内存一览

 

世迈内存模组的编号

 

           我  的  解  读

 

SM564328574N03R

 

SDRAM  PC133  256M B  32Mx64 16Mx8 TSOP

 

SG5646485D8N0CG

 

DDR266 PC2100,UDIMM,容量512MB,模组64M×64

 

SG5646485D8NzFO

 

DDR400 SO-DIMM笔记本,容量512MB,模组64M×64

 

SG564568FG8N6IL

 

DDR2-667 PCR2-5300 UDIMM,容量2GB,模组256M×64

 

SG564288FG8NWLC

 

DDR2-1066 SO-DIMM,PC2-85007-7-7 2GB,模组128M×64,

 

SG564568FH8N6LC

 

DDR3-10667-7-7 UDIMM,容量2GB,模组256M×64

 

SG564568FH8NWMD

 

DDR3-1066-888 SO-DIMM,容量2GB,模组256M×64

 

编号方法试解:前三个符号“SM5”或“SG5”可以认为是世迈内存的前缀。有“SG”的是符合欧盟环保要求RoHS的内存;紧接着的“64”是模组的数据宽度,单位是bit;之后的数字是模组的深度,单位是Meg。“32”和“64”都是Meg数。但是,“56”代表256Meg,“28”代表128Meg。模组的深度(Depth)乘以数据宽度(Width)就是模组的密度(Density),单位是Mb或Gb.模组密度再除以8b/B就是模组的容量(Capacity),单位是MB或GB。

编号的最后两个字符代表速度,根据官方网站的解释,对于DDR内存来说, 'FO'=PC3200 3-3-3; 'CL'=PC2700 2.5-3-3; 'CG'=PC2100 2-3-3;

对于DDR2来说, ‘DB’=PC2-3200 3-3-3;  ‘DG’=PC2-4200 4-4-4  ‘IL’=PC2-5300 5-5-5;  KF’ =PC2-6400 6-6-6;  IR’=PC2-6400 5-5-5; ‘LC’=PC2-8500 7-7-7;

对于DDR3来说,KF: DDR3-800-555 ;6B: DDR3-800-666 ;LC: DDR3-1066-777;MD: DDR3-1066-888;NG: DDR3-1333-888;PH: DDR3-1333-999 。

54.海盗船内存模组是怎样编号的?

答:海盗船(Corsair)公司成立于1994年,公司的总部设立在美国。海盗船内存按照低中高端分为Value Select(VS)、XMS等多种系列。Value Select系列虽然做工和性能上不如其高端系列,但是依据其优良的品质和价格的优势,也成为了不少用户的首选。海盗船内存的颗粒系外厂加工的,其模组的编号方法比较简明,例如,对于Value Select系列,其编号方法是:

DDR:VS512MB266 是 PC2100  DDR266 512MB 2.5-3-3-3 184pin UDIMM

VS512MB333 是 PC2700  DDR333 512MB 2.5-3-3-3 184pin UDIMM

VS1GBKIT400 是 PC3200  DDR400 1GB套装 2.5-3-3-3 184pin UDIMM

DDR2:VS2GB667D2 是 PC2-5300 DDR2-667 2GB 5-5-5-15 240pin UDIMM

VS4GBKIT667D2 是PC2-5300 DDR2-533 4GB套装 5-5-5-15 240pin UDIMM

DDR3:CM3×4GSD1066 是PC3-8500 7-7-7-20  204pin SO-DIMM

其XMS系列的编号,也是同样简明的。例如:

DDR3:TR3×3GB1600C9 是PC3-12800 3GB套装 9-9-9-24 240pin DIMM

TWIN3×2048-1333C9 是PC3-10660 2GB套装 9-9-9-24 240 pin DIMM

看来,编号最后的“C9”表示CL=9。

下图就是一种海盗船内存的外型和编号:

内存颗粒和模组编号知识60问(图片待传) - 老头儿 - 老头儿的博客

55.瑞士军刀内存模组是怎样编号的?

答:瑞士军刀(Swissbit)是瑞士生产的,根据网站给出的编号方法,介绍如下(其中的中文是作者加入的):

内存颗粒和模组编号知识60问 - 老头儿 - 老头儿的博客

56. 胜创的内存是怎样编号的?

答:胜创(KingMax)是我国台湾的一个著名的内存模组封装厂。口碑也不错。但是,在网站上并没有公布其模组的命名规则。我从网上摘录了一些内存的编号,并加以解说,供参考吧:

DDR: MPXC22F-38KT3R,容量:512MB,颗粒结构:32M×8,DDR400 CL2.5;

     MPXD42F-38KT4R,容量:1GB,颗粒结构:64M×8,DDR400 CL3。

DDR2:KLEC28F-A8KI5,容量:512MB,颗粒结构:64M×8,DDR2-1066 CL5;

      KLEE88F-B8KB5, 容量:2GB,颗粒结构:64M×8,DDR2-1066 CL5。

DDR3: FLFE85L-B8EE9,容量:2GB,颗粒结构:128M×8,DDR3-1333  CL9;

      FLGE85F-B8MF7,容量:2GB,颗粒结构:1284M×8,DDR3-1600  CL9。

笔记本:

MSAB62D-38KT3, 容量:512MB, DDR333

KSFE88F-B8M07, 容量:2GB,颗粒结构:128M×8,DDR2-667  CL9

其编号方法虽然不是太直观易辨,但是,因为按JEDEC的规定对模组进行了标注,主要参数还是可以从内存标签上得到的。

57.威刚内存模组是怎样编号的?

答:威刚科技设立于2001年5月,据称威刚科技在快速成为“全球第二大记忆体模组厂”。(也有资料说“世迈”属第二)威刚内存分二种。A-DATA和V-DATA.他们分别是威刚的普通条和高端条。价格当然后者高,质量也是后者更好。在网站上没有说明模组的编号规则,但是,从下表的举例中,其编号的意思是很容易理解的。除此以外,在模组上也都是按JEDEC的规定进行标志的。

 

 

 

威刚内存的编号

产品的名称和速度

容量

 

时  序

 

工作电压

AD32133F002GM(O)U2K

 

无限神龙DDR3-2133

2GB×2

 

CL10-10-10-30

 

2.05V~2.15V

AD31333F001GM(O)U2K

 

无限神龙DDR3-1333

1GB×2

 

CL6-6-6-18

 

1.75V~1.85V

AD2800X002GM(O)U2K

 

无限神龙DDR2-800

2GB×2

 

CL4-4-4-12

 

1.9V~2.1V

AD31333X001GM(O)U2K

 

无限神龙DDR3-1333

1GB×2

 

CL6-6-6-18

 

1.75V~1.85V

AD21066E002GM(O)U2K

 

极速飞龙DDR2-1066

2GB×2

 

CL5-5-5-15

 

2.1V~2.3V

AD31600E001GM(O)U2K

 

极速飞龙DDR3-1600

1GB×2

 

CL8-8-8-24

 

1.65VV~1.85V

AD21066G002GM(O)U1K

 

游戏威龙DDR2-1066

2GB×1

 

CL6-6-6-18

 

1.9V~2.1V

AD31600G002GM(O)U3K

 

游戏威龙DDR3-1600

2GB×3

 

CL9-9-9-24

 

1.65V~1.85V

 

 58.宇瞻内存模组是如何编号的?

答:宇瞻(apacer)科技公司 成立于1997年,据称,1999年成为全球第四大内存模组厂商。当前宇瞻旗下内存模组分有三大系列,分别是经典系列、黑豹系列、超频系列。

和其他多数模组供应商一样,在官方网站上并没有给出模组编号的规则。但是,也都按JEDEC的规定给出了必须提供的几个主要参数。如下图中的“1GB UNB PC2-6400 CL5”就清楚地说明这个内存是DDR2-800 CL=5 内存容量为1GB的普通桌式电脑内存。其中的“UNB”是Unbuffered DIMM的意思。如果是笔记本电脑用的内存,则将“UNB”改为“SOD”,意思是SO-DIMM。

内存颗粒和模组编号知识60问 - 老头儿 - 老头儿的博客

    因为官方网站没有给出编号规则,所以,只能根据具体产品猜测出编号的大概含义。见下表:

 

前缀

插座

容量

类型

频率

 

CL

未明

 

我     注

 

A

 

U

512

 

D

400

 

C3

 

KTG

 

512MB 普通桌式 DDR400  CL3

 

A

 

U

01G

 

E

800

 

C5

KBGC

 

1GB 桌式 DDR2-800 CL5

 

A

 

S

02G

 

E

667

 

C5

 

NBG

 

2GB 笔记本 DDR2-667  CL5

 

A

 

U

02G

 

F

A33

 

C9

HBGC

 

2GB 桌式 DDR3-1333  CL9

 

其中A:宇瞻(Apacer);插槽的”U”代表UBN(Unbuffered DIMM),”S”代表SO-DIMM,笔记本内存;“容量”的“01G”代表1GB;“类型”的“D”代表DDR;“E”代表DDR2;“F”代表DDR3;“频率”的“A33”代表1333;“C”后的数字代表CL值。

59.金邦内存模组是怎样编号的?

答:金邦(Geil)在1993年成立于香港,1996年将总部设于台北,在两岸三地均设有生产基地和庞大的销售网络。在过去几年中,金邦内存多次荣获国内权威杂志评为读者优秀品牌和编辑选择奖。在官放网站上介绍说其产品有白金系列、黑龙系列、千禧系列和笔记本系列等。但是,并没有给出编号和编号规则。下图就是一种金邦内存的编号情况。可以看出,其编号很长,而且没有解释。其颗粒也有编号,例如GL3LC32G88TG-5A,也没有权威的解释。好在基本参数都按JEDEC的规定标示出来了。

内存颗粒和模组编号知识60问 - 老头儿 - 老头儿的博客

 

60.超胜内存是怎样编号的?

答:超胜科技(Leadram)是一家集研发、制造和销售存储元器件为一体的的专业厂商,公司总部设于香港 。超胜内存模组按JEDEC规定的标志十分明晰,如:DDR1 1GB/400;DDR2 1GB-1066;DDR3 2GB-1333等。它的颗粒虽然是来自海力士,但是,也经常在颗粒上刻印上“Leadmax KOR”的字样,以表明这是超胜品牌,但是,颗粒来自韩国。而且,有的颗粒上还有自己的编号。但是,在其官方网站上没有给出编号的规则,只能猜测。例如:

LD5DU56822DT-D43 这表明本颗粒密度是256Mb,位宽是8bit,速度是DDR400

LD5PS1G831 F-Y5  这表明本颗粒密度是1Gb,位宽是8bit,速度是DDR2-667

超胜的模组也有自己的编号,例如:

LRMP564U64A8-E3 这表明模组的深度是64M,数据宽度是64bit,因此,模组的容量是64M×64b÷8b/B=512MB,速度是DDR400

LRMP512U64A8-Y5 这表明模组的深度是128M,数据宽度是64bit,因此,模组的容量是128MM×64b÷8b/B=1GB,速度是DDR2-667

超胜虽然也在生产DDR3-1333内存,但是,官方网站没有任何有关编号的信息。

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